特許
J-GLOBAL ID：200903024127790983
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
杉村 次郎
, 花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-277982
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093849
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップをフィルム基板上に、接着剤を用いた圧接法により搭載する際に、電気的接続及び接合強度の信頼性を向上する。【解決手段】 フィルム基板からなる中継基板21上に形成された第1の接続電極23の表面には薄膜27が形成されている。この場合、薄膜27は、第1の接続電極23及び半導体チップ31のバンプ電極32よりも低融点の金属(錫等)からなっている。また、この薄膜27の融点は、熱硬化型の接着剤28の硬化温度よりも低い。そして、中継基板21上に接着剤28を介して半導体チップ31をただ単に載置し、接着剤28が硬化する温度にて所定の圧力を加えてボンディングすると、薄膜27が溶融してバンプ電極32の下面の微小な凹部内に入り込み、この後接着剤28が硬化する。
請求項（抜粋）：
半導体チップのバンプ電極をフィルム基板の接続電極に接合するに際し、前記両電極のうち少なくとも一方の電極の表面に該両電極よりも低融点の金属からなる薄膜を形成し、前記半導体チップのバンプ電極形成面と前記フィルム基板の接続電極形成面との間に硬化温度が前記薄膜の融点よりも高い熱硬化型の接着剤を介在させ、前記接着剤が硬化する温度にて所定の圧力を加えてボンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/12 501
H01L 21/60 311 Q
, H01L 23/12 501 B
5F044MM22
, 5F044MM23
, 5F044NN07
, 5F044QQ03
