特許

J-GLOBAL ID：200903024130638033

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 竹内 健 ,  田中 智晴 ,  中村 寛
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277036
公開番号（公開出願番号）：特開平11-120779
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 チップ面積を増加させずに、高速なデータの書き込みと、低い消費電力と、“1”書き込みされるセルや書き込み選択されたワード線に接続されている書き込み非選択のセルに生ずる“誤書き込み”の可能性の低減とを達成できる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 データの書き込み時において、ビット線の電圧を1つおきに0Vから電源電圧Vccとし、電源電圧Vccとされたビット線BL1A、BL3Aをそれぞれフローティングとした後、残りのビット線BL0A、BL2A、BL4Aの電圧を0Vから電源電圧Vccとする。これにより、フローティングとされたビット線BL1A、BL3Aの電圧を、ビット線BL0A、BL2A、BL4Aとの容量結合によってVcc+V1の電圧まで上昇させる。この後、全てのビット線を短絡させることで、全てのビット線の書き込み非選択電圧を、電源電圧Vccよりも高い電圧Vcc+(V1/2)とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの不揮発性メモリセルを含むメモリセル部と、前記メモリセル部の一端に接続される第1の信号線と、前記第1の信号線と容量結合する第2の信号線とを具備し、前記第1の信号線を第1の電圧でフローティング状態とし、前記第1の信号線をフローティング状態とした後に、前記第2の信号線の電圧を第2の電圧に変化させ、フローティング状態の前記第1の信号線を前記第2の信号線に容量結合させて、前記第1の信号線の電圧を前記第1の電圧とは異なった第3の電圧に変化させることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 17/00 611 F ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 634 B