薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-185664
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005862
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】単一の半導体層だけで制御性および均一性よくチャンネル領域を薄く形成する。【構成】ポリシリコン層2のチャンネル形成領域2aのうち下面側所定の厚さ部分に酸素イオンをイオン注入で注入し、その後アニールを行って酸素イオン注入部分を酸化膜5に変換する。すると、チャンネル形成領域2aの上面側部分のみがポリシリコン部分として残り、この部分で薄いチャンネル領域6が形成される。この方法によれば、半導体層は単一のポリシリコン層2しか使用しないので、複数の半導体層を使用した場合の問題点を一掃できる。また、イオン注入で酸素イオンを所定の部分に正確に注入できるので、制御性および均一性よくチャンネル領域6を薄く形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体層のチャンネル形成領域の膜厚方向の所定部分に酸素イオンを注入し、その後アニール処理して前記酸素イオン注入部分を酸化膜に変換することにより、前記チャンネル形成領域のうち前記酸化膜を除く部分でチャンネル領域を形成するようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

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