特許

J-GLOBAL ID：200903024141489900

表面改質方法

発明者： 内山 信三 ,  北川 英夫 ,  鈴木 信昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328706
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165377
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】被処理基体の表面から所望の深さまでの所望の物質の濃度を増加させ、高品位な表面改質を短時間で行う表面改質方法を提供する。【解決手段】被処理基体の表面をマイクロ波表面波プラズマにより改質する方法において、プラズマ処理により前記被処理基体に注入した物質が実質的に被処理基体中を拡散しない温度、かつ、焼きなまし効果を得られる温度に前記被処理基体を維持する工程と、プラズマ処理室内に前記物質を含む処理ガスを導入する工程と、前記プラズマ処理室内にプラズマを生成する工程と、前記プラズマの電子温度を少なくとも一回変更する工程とを有することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理基体の表面をマイクロ波表面波プラズマにより改質する方法において、 プラズマ処理により前記被処理基体に注入した物質が実質的に被処理基体中を拡散しない温度、かつ、焼きなまし効果を得られる温度に前記被処理基体を維持する工程と、 プラズマ処理室内に前記物質を含む処理ガスを導入する工程と、 前記プラズマ処理室内にプラズマを生成する工程と、 前記プラズマの電子温度を少なくとも一回変更する工程とを有することを特徴とする方法。

IPC (1件)：

H01L21/318

FI (2件)：

H01L21/318 A ,  H01L21/318 C

Fターム (6件)：

5F058BA01 ,  5F058BC11 ,  5F058BF54 ,  5F058BF74 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ10