特許
J-GLOBAL ID：200903024142866864
透明導電性薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206213
公開番号（公開出願番号）：特開平6-184734
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1994年07月05日
要約：
【要約】【目的】資源的に豊富であり、安価でありかつ公害をもたらす恐れの少ない物質である酸化亜鉛系の薄膜形成材料を用いながら、高い透過率と低い電気抵抗を有する薄膜を基材上に析出でき、高速で、かつ基材に影響を与えない透明導電性薄膜の製造方法を提供する。【構成】酸化亜鉛単独、または酸化亜鉛に少量の三価以上の金属もしくは半導体を少なくとも一種含む混合物を薄膜形成材料とする透明導電性薄膜の製造方法であって、前記薄膜形成材料を加熱気化し、酸素分圧が3×10-4〜7×10-4Torrあるいは酸素と他の不活性気体の混合ガスの分圧が3×10-4〜7×10-4Torrであるプラズマ空間を通過させた後、基材上に付着させる。
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛単独、または酸化亜鉛に少量の三価以上の金属もしくは半導体を少なくとも一種含む混合物を薄膜形成材料とする透明導電性薄膜の製造方法であって、前記薄膜形成材料を加熱気化し、酸素分圧が3×10-4〜7×10-4Torrであるプラズマ空間を通過させた後、基材上に付着させることを特徴とする透明導電性薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/24
, B32B 15/08
, C08J 7/04
, C23C 14/08
, B32B 9/00
