特許

J-GLOBAL ID：200903024144863331

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中野 博文 ,  松岡 敬
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244219
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198596
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 深いリセス溝を有する半導体装置において微細な寸法でT型電極を安定に形成する。【構成】 リセス溝1aを形成した後、リセス溝1aのゲート電極が形成されるべき領域以外をレジスト21で充填し、さらに、リセス溝1a形成時に半導体基板1表面に形成したマスク材(15,19)を、形成したリセス溝1aよりも広くなるように除去し、ゲート金属10を蒸着させる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された溝内に断面T字型の電極を配置してなる半導体装置において、基板上に形成された第1の溝部と、該第1の溝部の底面に形成された第2の溝部と、その下方部分が上記第2の溝部の底面に接合し、その上方部分が上記第2の溝部内側に位置する断面T字型の電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-049240
  
• 特開平2-307231
  
• 特開平3-027536