固体撮像装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269918
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094090
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】単位セル当たりのフォトダイオードの表面積を大きくして固体撮像装置の感度を向上させる。【解決手段】ゲート電極19はトレンチ構造となっており、このトレンチ12の側面にn-型の拡散層15aが形成されている。このため、電荷の転送部分となるn-型の拡散層15aからなるV-CCD15の単位セル10あたりの表面積は小さく、フォトダイオード21の単位セル10あたりの表面積を大きくすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面領域に形成され、光電変換部を構成する第1の拡散層と、前記半導体基板の表面領域に前記第1の拡散層と所定間隔離間して形成された第2の拡散層と、前記第2の拡散層に隣接して形成されたトレンチと、前記トレンチの内側面及び前記第1、第2の拡散層の相互間の前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記トレンチ内及び前記半導体基板上の前記第1の絶縁膜上に一体的に形成されたゲート電極とを具備することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/148 , H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U , H01L 27/14 B , H01L 27/14 A

Fターム (24件)：

4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118DA03 , 4M118DA07 , 4M118DA18 , 4M118EA01 , 4M118EA07 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA35 , 4M118GB11 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 5C024AA01 , 5C024CA12 , 5C024CA31 , 5C024DA01 , 5C024GA01 , 5C024GA12 , 5C024GA31

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