特許
J-GLOBAL ID：200903024152650070
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181465
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026335
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置を金属製パッケージに高温で実装した際に半導体装置の反りを低減し、半導体装置の実装時における組立性が向上された半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体基板1と、半導体基板1の裏面側に備えられたAu薄膜3及びAuメッキ膜4との間に、線熱膨張率がAu薄膜3及びAuメッキ膜4よりも半導体基板1に近く、弾性率がAu薄膜3及びAuメッキ膜4よりも高いW薄膜7が形成される。半導体基板1とW薄膜7との間に、半導体基板1とW薄膜7との接着性を高めるTi薄膜2が形成される。Auメッキ膜4の面が、AuSn半田を用いて高温で金属製パッケージに接着されることで半導体装置が金属製パッケージに実装される。この半導体装置の実装時に、半導体基板1と、Au薄膜3及びAuメッキ膜4との線熱膨張率の差により熱ストレスが発生するが、その熱ストレスがW薄膜7で緩和され、半導体基板1の反りが減少する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の裏面側に備えられ該半導体基板と線熱膨張率が異なる第1の金属層とを有し、該第1の金属層における前記半導体基板側と反対側の面が金属製パッケージにAuSn半田で接着される半導体装置において、前記第1の金属層と前記半導体基板との間には、線熱膨張率が前記第1の金属層よりも前記半導体基板に近く、弾性率が前記第1の金属層よりも高く、融点が、前記第1の金属層を前記金属製パッケージにAuSn半田で接着する際の温度よりも高い第2の金属層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 23/36 M
