特許
J-GLOBAL ID:200903024152923602

薄膜型弾性波デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小松 秀岳 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-236427
公開番号(公開出願番号):特開平7-095006
出願日: 1993年09月22日
公開日(公表日): 1995年04月07日
要約:
【要約】【目的】 従来の圧電体基板よりも広い周波数範囲(特に高周波)で良好な特性(大きな電気機械結合定数k2、小さな中心周波数の温度係数τf)を有する表面弾性波デバイスを提供する。【構成】 圧電体基板が基板上にIII-V族化合物膜が設けられ、さらにその上に3種以上の元素から構成される複合酸化物膜が設けられた圧電体基板であることを特徴とする弾性波デバイス。
請求項(抜粋):
圧電体基板が基板上にIII-V族化合物膜が設けられ、さらにその上に3種以上の元素から構成される複合酸化物膜が設けられた圧電体基板であることを特徴とする弾性波デバイス。
IPC (3件):
H03H 9/25 ,  H03H 9/145 ,  H03H 9/17

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