特許

J-GLOBAL ID：200903024153501027

化合物半導体結晶装置の製造方法

発明者： 吉川 俊英
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-137788
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326582
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体結晶装置の製造方法に関し、燐を含む化合物半導体層の上にAlx Iny Ga1-x-y As層を成長する際、燐を含む化合物半導体層からこの層への切替えの不調に起因する穴が発生するのを防ぐ手段を提供する。【構成】 GaAs基板1の上に、InGaAsP,InGaAs,GaAsP,GaP,InAs,GaAsSb,InGaAsSb,GaSb,InSb等の燐を含む化合物半導体層(n-InGaP4)を成長し、その上にAlx Iny Ga1-x-y As層(n-GaAs5)を成長する際に、この層の厚さが30原子層以内成長した段階で成長を中止し、この層を成長する際の圧力より高い圧力の燐雰囲気中で、あるいは、この層を成長する際の温度より高い温度でアニールした後に、Alx Iny Ga1-x-y As層の成長を再開する工程を少なくとも1回含む工程を採用した。

請求項（抜粋）：

GaAs基板の上に、燐を含む化合物半導体層を成長し、その上にAlx Iny Ga1-x-y As(0≦x≦1,0≦y≦1)層を成長する際に、該Alx Iny Ga1-x-y As(0≦x≦1,0≦y≦1)層の厚さが30原子層以内成長した段階で成長を中断し、燐雰囲気中でアニールした後に成長を再開する工程を少なくとも1回含むことを特徴とする化合物半導体結晶装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 3/18