特許

J-GLOBAL ID：200903024154914961

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

発明者： 石橋 明彦 ,  伴 雄三郎 ,  武石 英見 ,  上村 信行 ,  粂 雅博 ,  木戸口 勲
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-228904
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133246
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 電気的、光学的および結晶構造的等の性質に優れた窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明による窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法は、表面が(0001)面から[11-20]方向に第1の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する。

請求項（抜粋）：

表面が(0001)面から[11-20]方向に第1の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する、窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (57件)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA24 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CB11 ,  5F041CB36 ,  5F041FF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA10 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA52 ,  5F045DA67 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073CB10 ,  5F073CB17 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29