MOSトランジスタとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267651
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】熱工程時のしきい値電圧の制御の容易なディープサブミクロンスケールのDMOSトランジスタを提供する。【構成】ソース8側から設けられたDSA領域6のソース近傍チャネル領域に、不純物濃度がドレイン4の方向に増加するソース端逆DSA領域10が設けられる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面にソース,ドレイン,ゲート絶縁膜,及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、チャネル領域の不純物分布が前記ソースから前記ドレインにかけて次第に希薄になるDSA型のMOSトランジスタにおいて、前記ソース近傍の前記チャネル領域に、不純物濃度が前記ドレインの方向に増加する領域を有することを特徴とするMOSトランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭54-124686
特開昭59-061185

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