特許

J-GLOBAL ID：200903024158115915

III族窒化物半導体の形成方法

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-119633
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313133
出願日： 1997年05月09日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 組織的に不均質なインジウム含有III 族窒化物半導体活性層の安定的な形成方法を提供する。【解決手段】 インジウム含有III 族窒化物活性層を適正な速度で昇温する工程と、加熱温度で所定の期間加熱する工程と、冷却速度を異にする第1及び第2の冷却工程の全工程を通過させて主体相と従属相とからなる組織的に不均質なインジウム含有III 族窒化物半導体活性層を形成する。

請求項（抜粋）：

温度T°C(但し、650°C<T≦950°C)で形成したインジウム含有III 族窒化物半導体結晶層からインジウム濃度を異にする複数のIII族窒化物半導体相から構成される組成的に不均質なIII 族窒化物半導体活性層を形成するに際し、T°Cで成長したIII 族窒化物結晶層をT°CからT’°C(但し、950°C<T’≦1200°C)に毎分30°C以上の速度で加熱する昇温工程と、該結晶層をT’で示される帯域の温度で被熱する時間を合計して60分以下に制限した加熱工程と、該結晶層をT’より950°C迄、毎分20°C以上の速度で冷却する第1の冷却工程と、該結晶層を950°Cから650°Cの範囲の温度に毎分20°C未満の速度で冷却する工程を含む第2の冷却工程を備えたIII 族窒化物半導体の形成方法。