薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154128
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302824
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】イオン注入に際してキャップ膜を用いずに、しかも2種類のドーズ量の層を堆積することなくLDD構造を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【構成】チャネル部となる領域を含めこの領域より少し大きな領域には膜厚の薄い非晶質のシリコン膜2を形成し、その両側のコンタクト部となる領域には膜厚の厚い非晶質のシリコン膜2を形成する工程と、レーザーを照射することにより前記の非晶質シリコン膜2を再結晶化する工程と、チャネル部となる領域を除いて前記の再結晶化されたシリコン膜に不純物をイオン注入した後熱活性化する工程とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

チャネル部となる部分の半導体膜を、不純物の注入によりコンタクト部となる部分の半導体膜より薄く形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-284865
特開平3-194937
特開平2-283073

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