特許
J-GLOBAL ID：200903024166416568
薄膜エレクトロルミネッセンス素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195323
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045071
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【構成】 二重絶縁構造の薄膜EL素子において、発光層が、低酸素濃度のターゲットを用いたスパッタ蒸着法等により成膜した低酸素濃度の膜を硫化性ガス雰囲気下、650°C以上の温度で熱処理することにより作製される。【効果】 熱処理の効果がより顕著に現れ、結晶粒径の大きな高結晶化した発光層を得ることができるので、高輝度に発光する薄膜EL素子を作製できる。
請求項（抜粋）：
発光層の両側を絶縁薄膜ではさみ、さらにその両側を電極ではさむ構造を有し、かつ該電極の少なくとも一方が光透過性電極である薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、上記発光層が、酸素濃度15原子%以下である、SrS母材に発光中心をドープした膜を形成した後に、650°C以上の温度で硫化性ガス雰囲気下熱処理されてなることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2件)：
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