特許

J-GLOBAL ID：200903024168769786

半導体製造装置用の基板保持プレート

発明者： 森田 正 ,  植松 正紀 ,  稲川 幸之助 ,  中山 泉
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 八木田 茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-207850
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061335
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】従来の基板保持プレートの低い耐食性を改良して、腐食性雰囲気中でも長期間安定に使用できる基板保持プレート及びその製造方法を提供する。【構成】熱分解窒化硼素(P-BN)のベースプレート1の一方側の表面上に基板を固定する静電チャック用電極2を、また他側の表面上に基板加熱ヒータ用電極3が設けられ、さらにこれらの電極を絶縁するためにベースプレートの両面は熱分解窒化硼素の絶縁体4で覆われている。このように構成されたプレート組立体はスパッタリング装置を用いて、基板保持プレートにバイアス電圧を印加しながら、Al2O3からなる緻密な耐食性保護膜5が形成される。また保護膜はAlN,AlONを用い蒸着法やCVD法などによっても形成される。

請求項（抜粋）：

ベースプレートの一側の表面上に基板固定する静電チャック用電極をまた他側の表面上に基板を加熱するヒータ用電極をそれぞれ設け、これらの電極の上から電気絶縁体で覆ってなる半導体製造装置用の基板保持プレートにおいて、基板保持プレートの少なくとも腐蝕性物質に晒される表面部分に耐蝕性保護膜を設けたことを特徴とする半導体製造装置用の基板保持プレート。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-206755
  
• 特開平3-183151
  
• 特開平4-298062