特許

J-GLOBAL ID：200903024173343509

配線基板およびその製造方法

発明者： 仁田尾 智広
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262509
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078247
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 スタックトビア構造において、電気的接続面積が広く配線導体の高密度化ができない。【解決手段】 上面に第1配線導体2aが形成された第1絶縁樹脂層1aと上面に第2配線導体2bが形成された第2絶縁樹脂層1bと第3絶縁樹脂層1cとが第1・第2配線導体2a・2bの一部が上下に重なるようにして順に積層されるとともに、第1配線導体2a上に位置して第2絶縁樹脂層1b・第2配線導体2bを貫通した第1貫通孔3aとこの第1貫通孔3aの直上に位置して第3絶縁樹脂層1cを貫通した第1貫通孔3aよりも断面の大きな第2貫通孔3bとが形成され、かつ第1・第2貫通孔3a・3bの内壁から第3絶縁樹脂層1cの上面にかけて金属薄膜4が形成されて第1配線導体2aと第2配線導体2bと第3絶縁樹脂層1cの上面に形成された金属薄膜4から成る第3配線導体2cとが接続されている配線基板。

請求項（抜粋）：

上面に第1の配線導体が形成された第1の絶縁樹脂層と上面に第2の配線導体が形成された第2の絶縁樹脂層と第3の絶縁樹脂層とが前記第1および第2の配線導体の一部が上下に重なるようにして順に積層されるとともに、前記第1の配線導体上に位置して前記第2の絶縁樹脂層および前記第2の配線導体を貫通した第1の貫通孔と該第1の貫通孔の直上に位置して前記第3の絶縁樹脂層を貫通した前記第1の貫通孔よりも断面の大きな第2の貫通孔とが形成され、かつ前記第1および第2の貫通孔の内壁から前記第3の絶縁樹脂層の上面にかけて金属薄膜が形成されて前記第1の配線導体と前記第2の配線導体と前記第3の絶縁樹脂層の上面に形成された前記金属薄膜から成る第3の配線導体とが接続されていることを特徴とする配線基板。

Fターム (8件)：

5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346DD12 ,  5E346FF07 ,  5E346GG15