特許

J-GLOBAL ID：200903024174530612

高純度窒化ホウ素成形体の製造方法

発明者： 桑原 治由 ,  進藤 敏彦
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085024
公開番号（公開出願番号）：特開平11-263670
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【解決手段】 B2O3含有量が0.2重量%以下、酸素含有量が1重量%以下、BET比表面積が5〜40m2/gである六方晶窒化ホウ素粉末を、含水量が30〜60重量%となるように水を添加して造粒し、乾燥後、ホットプレス成形することを特徴とする高純度窒化ホウ素成形体の製造方法。【効果】 本発明の高純度BN成形体の製造方法によれば、低B2O3含有量で高強度の高純度BN成形体を効率よく簡便に、工業的に有利に製造することができ、得られる高純度BN成形体は、半導体シリコン用放熱基板製造時のセラミックス、特に高熱伝導性窒化アルミニウム焼結用セッターなどとして好適に使用することができる。

請求項（抜粋）：

B2O3含有量が0.2重量%以下、酸素含有量が1重量%以下、BET比表面積が5〜40m2/gである六方晶窒化ホウ素粉末を、含水量が30〜60重量%となるように水を添加して造粒し、乾燥後、ホットプレス成形することを特徴とする高純度窒化ホウ素成形体の製造方法。

IPC (4件)：

C04B 35/626 ,  C01B 21/064 ,  C04B 35/583 ,  C04B 35/581

FI (4件)：

C04B 35/58 103 Q ,  C01B 21/064 Z ,  C04B 35/58 103 X ,  C04B 35/58 104 U