特許

J-GLOBAL ID：200903024177889611

CVD装置およびCVD処理方法

発明者： 尾上 誠司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-302022
公開番号（公開出願番号）：特開平11-140651
出願日： 1997年11月04日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：

【要約】【課題】 基板表面の温度のばらつきをなくし、またより速く基板表面の温度を適宜の温度に設定可能なCVD装置を提供すること。【解決手段】 材料ガスを熱分解することにより基板28表面に薄膜を形成するCVD装置20において、内部でCVD処理を行うチャンバ21と、上記チャンバ21内部に設けられた上記基板28を保持する基板保持手段27と、それぞれ温度調整可能に設けられた複数の加熱手段30,31,32と、複数箇所の基板28の温度を計測する温度計測手段40,41,42,43と、上記温度計測手段40,41,42,43の計測結果に基づいて、上記加熱手段30,31,32の温度を制御する制御手段34と、を具備することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

材料ガスを熱分解することにより基板表面に薄膜を形成するCVD装置において、内部でCVD処理を行うチャンバと、上記チャンバ内部に設けられた上記基板を保持する基板保持手段と、それぞれ温度調整可能に設けられた複数の加熱手段と、複数箇所の基板の温度を計測する温度計測手段と、上記温度計測手段の計測結果に基づいて、上記加熱手段の温度を制御する制御手段と、を具備することを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/44 H ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205