特許

J-GLOBAL ID：200903024184143544

半導体結晶の作製方法

発明者： 岡本 直哉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182782
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036043
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 ハロゲン系炭素原料を用いることなく、かつ生産性の高いIn、Ga、Asを含むp型のIII-V族化合物半導体結晶を作製する方法を提供する。【構成】 真空容器内に基板を配置してある温度まで加熱する工程と、基板の表面に、有機Inガス、有機Gaガス、メチル基を含むガス、及びAsを含むガスを供給して、炭素が添加されたIn、Ga、Asを含む化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程とを含み、ある温度を、有機Inガスの分子からIn原子もしくはInを含み半導体結晶の成長時に該半導体結晶中に取り込まれ得る原子集団が分離し、有機Gaガスの分子からGa原子もしくはGaを含み半導体結晶の成長時に該半導体結晶中に取り込まれ得る原子集団が分離し、メチル基を含むガスの分子からメチル基が分離し、かつ分離したメチル基以外の原子集団が実質的に半導体結晶中に取り込まれないような温度範囲から選択する。

請求項（抜粋）：

真空容器中に基板を配置して、該真空容器内を真空排気する工程と、前記真空容器内で前記基板をある温度まで加熱する工程と、加熱した前記基板の表面に、有機Inガス、有機Gaガス、メチル基を含むガス、及びAsを含むガスを供給して、不純物として炭素が添加されたIn、Ga、Asを含むIII-V族化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程とを含み、前記ある温度を、前記有機Inガスの分子からIn原子もしくはInを含み前記半導体結晶の成長時に該半導体結晶中に取り込まれ得る原子集団が分離し、前記有機Gaガスの分子からGa原子もしくはGaを含み前記半導体結晶の成長時に該半導体結晶中に取り込まれ得る原子集団が分離し、前記メチル基を含むガスの分子からメチル基が分離し、かつ分離したメチル基以外の原子集団が実質的に前記半導体結晶中に取り込まれないような温度範囲から選択する半導体結晶の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 29/40 502 A ,  H01L 21/205