特許

J-GLOBAL ID：200903024187736864

半導体装置及びその製造方法

発明者： 白石 司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294132
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136208
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 厚膜導電性電極22を形成した透光性回路基板21上の所定の位置に、紫外線硬化型絶縁樹脂34を介して半導体イメージセンサチップ30を配置した後、荷重を加えながら光照射して固定し、電気的導通をとる実装方法にて作製した半導体装置の品質を高める。【構成】 接続部の厚膜導電性電極22は、スクリーン印刷法にてAuペーストを塗布し、レベリング、乾燥、焼成した後、この膜の上部に研磨を施し研磨面を形成した構成とする。【効果】 厚膜Au電極22の膜上部に研磨面23を形成することで、断面形状が台形状で膜厚の均一な膜が実現でき、実装時の位置ずれの許容範囲を広げられ、また厚膜Au電極の変形量や半導体チップへの荷重量を低減でき、電気的接続の不良や半導体イメージセンサチップ30の損傷を低減した高品質な半導体装置とすることができる。

請求項（抜粋）：

上面に回路導体層と前記回路導体層に接続する厚膜導電性電極を有する透光性回路基板と、前記透光性回路基板の上面に光硬化型絶縁樹脂を介して半導体素子を有し、前記半導体素子の素子面の反対側より加圧して、前記透光性回路基板の所定の位置に前記厚膜導電性電極と前記半導体素子の素子面に形成した電極を当接させた状態で紫外線を照射して光硬化型絶縁樹脂を硬化して半導体素子を固定し、かつ電気的に接続する半導体装置において、前記厚膜導電性電極は、スクリーン印刷法にて導電性ペーストを塗布した後、レベリング、乾燥、焼成を行なってから、この厚膜導電性膜の上部に研磨を施し研磨面を形成したことを特徴とする半導体装置。