特許
J-GLOBAL ID：200903024190408509
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-176100
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086302
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 ソース・ドレイン電極引出し用の配線をCVD法を必要としない金属膜にて形成し、且つそのパターニング工程で当該金属膜と画素電極との間で電池反応が生じないようにすると共に、スループットの向上を図る。【構成】 ソース・ドレイン電極106に接続されるドレイン配線116A用のアルミ膜121の上面にモリブデン膜122を形成しておき、このモリブデン膜の上面にレジストを塗布して、該レジストの露光,現像等の処理を行なう。【効果】 モリブデン薄膜122の働きによってレジストの現像液がアルミ膜121に達しないので、画素電極117とアルミ膜121との間の電池反応が防止される。モリブデン膜122は、アルミ膜121用のエッチング液によりその端部が「ひさし」状に削られ、これが折れて液中に浮遊するが、すぐに溶解されるため、他の部分に付着することがなく、ショート等が回避される。
請求項（抜粋）：
ソース・ドレイン電極の少なくとも一方に接続された電極引出し配線用のアルミ系金属膜の上面にモリブデン膜が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 29/40
, H01L 29/784
