特許
J-GLOBAL ID:200903024198455417

ポジ型ホトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-154644
公開番号(公開出願番号):特開2001-337456
出願日: 2000年05月25日
公開日(公表日): 2001年12月07日
要約:
【要約】【課題】 i線(365nm)を用いたホトリソグラフィ技術において、0.35μm程度の微細なパターン形成が可能で、そのような超微細な領域においてDOF特性に優れ、かつ高感度化が達成されたポジ型ホトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)全フェノール性水酸基の一部が酸解離性基で保護されているアルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジドエステル化物、および(C)365nmの波長の光に対して酸を発生する化合物を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)全フェノール性水酸基の一部が酸解離性基で保護されているアルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジドエステル化物、および(C)365nmの波長の光に対して酸を発生する化合物を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (8件):
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/28 ,  C08L 25/18 ,  C08L 61/06 ,  C08L101/14 ,  G03F 7/022 601 ,  H01L 21/027
FI (8件):
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/28 ,  C08L 25/18 ,  C08L 61/06 ,  C08L101/14 ,  G03F 7/022 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (17件):
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE01 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  4J002BC121 ,  4J002CC031 ,  4J002CC071 ,  4J002CC091 ,  4J002EJ017 ,  4J002EQ036 ,  4J002GP03

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