特許

J-GLOBAL ID：200903024200533056

半導体圧力センサ

発明者： 加藤 肇
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 宮田 金雄 ,  高瀬 彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-326743
公開番号（公開出願番号）：特開2004-163148
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】この発明は、樹脂モールドした樹脂パッケージの底面に圧力センサチップを配置した半導体圧力センサにおいて、外形を小形化できる半導体圧力センサを得る。【解決手段】この発明に係わる半導体圧力センサは、圧力導入孔1fを有する有底筒状の樹脂パッケージ1の底部1cに、接着剤3を充填し、この接着剤3でセラミック基板4を接着し、このセラミック基板4の連通孔4dと上記圧力導入孔1fとを通じて導入される圧力を応力に変換する圧力センサチップ6が上記セラミック基板4に接着剤5で接着されるものである。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

一端が開口し、底部に圧力導入孔を有する有底筒状の樹脂パッケージ、上記底部に充填された第1の接着剤、上記圧力導入孔に連通する連通孔を有して一端面が上記第1の接着剤に接着されたセラミック基板、このセラミック基板の他端面に充填された第2の接着剤、この第2の接着剤を介して上記セラミック基板に接着され、上記連通孔と上記圧力導入孔とを通じて導入される圧力を応力に変換する圧力センサチップ、及び上記樹脂パッケージの一端を塞ぐ蓋を備えた半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L9/00 ,  H01L29/84

FI (2件)：

G01L9/00 303K ,  H01L29/84 Z

Fターム (22件)：

2F055AA40 ,  2F055BB03 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055DD09 ,  2F055EE13 ,  2F055FF43 ,  2F055GG13 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA15 ,  4M112DA18 ,  4M112DA20 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112EA20 ,  4M112FA01 ,  4M112FA09 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01