特許
J-GLOBAL ID：200903024200726253
シリコン電子放出素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中尾 俊輔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094796
公開番号（公開出願番号）：特開平6-215689
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 ゲート孔の直径を小さく形成することができ、低い電圧で駆動することのできるシリコン電子放出素子の製造方法を提供する。【構成】 高濃度シリコン基板10表面に酸化マスク13を用いてエミッタ15を形成し、このシリコン基板10の表面に酸化膜12を形成した後、シリコン基板10の表面に絶縁膜14を形成し、その後、前記酸化マスク13および絶縁膜14の厚さが垂直方向および水平方向に縮小するように高温で熱処理を行ない、この熱処理により厚さが縮小した絶縁膜14上にゲート金属を蒸着してゲート電極16を形成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
高濃度シリコン基板表面を高温酸化した後、フォトエッチングして酸化マスクを形成するマスク形成工程と、前記酸化マスクを用いてほぼ円錐形状のエミッタを形成するためのシリコン基板のエッチング工程と、平面先端を有する前記エミッタをその先端部が鋭いチップとなるように形成するため前記シリコン基板の表面を酸化処理する高温酸化工程と、前記シリコン基板の表面に前記酸化マスクを用いて絶縁膜を嵌成するための絶縁膜形成工程と、前記酸化マスクおよび絶縁膜の厚さが垂直方向および水平方向に縮小するように高温で熱処理を行なう熱処理工程と、前記熱処理工程により厚さが縮小した絶縁膜上にゲート金属を蒸着してエミッタの側面に対向する面に露出する前記絶縁膜を取り囲むようにゲート電極を形成するゲート形成工程と、前記酸化マスクを含む上方の層を同時に除去するリフトオフ工程とからなることを特徴とするシリコン電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 29/46
