特許
J-GLOBAL ID：200903024202402218
光学的情報記録媒体及びその構造設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-097607
公開番号（公開出願番号）：特開平5-298748
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高CN比と高消去率と広消去パワー許容幅の単一レーザビームによる重ね書きが可能な光学的情報記録媒体、設計方法を提供する。【構成】 基板5上に誘電体層6、記録層7、誘電体層8を順次積層し、接着層9を介して2枚を膜面を内側に張合せる。記録層7はアモルファス相と結晶相との間で可逆的相変化を生じる物質で膜厚を記録層7がアモルファスおよび結晶状態にある時に誘電体材料で挟まれた条件下での光透過率T0(amo)とT0(cry)の差、ΔT0が20%以下に選び、誘電体層6、7の膜厚を変化させて光学計算を行い、波長λの照射レーザ光線12の内で記録層での吸収率及び記録媒体からの反射率を記録層がアモルファス状態ではA(amo),R(amo)、結晶状態ではA(cry)およびR(cry)として、2状態間での吸収率の差ΔAおよび反射率の差ΔRがΔA≧5%およびΔR≧15%の2条件を同時に満足する膜厚組合せとする。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも第1の誘電体材料薄膜層、波長λのレーザ光線の照射により上記波長λでの光学定数(屈折率n、消衰係数k)が相対的に大である結晶状態と相対的に小であるアモルファス状態との間で光学的特性を可逆的に変化する相変化材料薄膜からなる記録層、第2の誘電体材料薄膜層を順次積層してなる光学的情報記録媒体であって、上記記録層の厚さxは、記録層がアモルファス状態および結晶状態にある時に上記誘電体材料で挟まれた条件下での光透過率T0(amo)とT0(cry)の差、ΔT0(=T0(amo)-T0(cry))が20%となる厚さよりも薄く選び、よって上記波長λの照射レーザ光線の内で上記記録層で吸収される比率(以降吸収率と呼ぶ)ならびに上記記録媒体から反射される比率(以降反射率と呼ぶ)を上記記録層がアモルファス状態である場合にはそれぞれA(amo)およびR(amo)、また記録層が結晶状態である場合にはそれぞれA(cry)およびR(cry)として、2つの状態間での吸収率の差ΔA(=A(cry)-A(amo))および反射率の差ΔR(=R(cry)-R(amo))がΔA≧5%およびΔR≧15%の2条件を同時に満足する書換え可能な光学的情報記録媒体。
IPC (2件)：
G11B 7/24 536
, G11B 7/24 521
