特許

J-GLOBAL ID：200903024205068262

光電変換装置

発明者： 山本 秀和 ,  西岡 康隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176842
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021427
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、暗電流を少なくすることができるように改良された光電変換装置を得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 基板1の上に第1の電極10が設けられる。第1の電極10を覆うように基板1の上に、光電変換を行なうための半導体12か設けられる。半導体12の上に第2の電極14が設けられる。半導体12と第2の電極14との間に、第2の電極14から半導体12へ電子が注入されるのを阻止するための電子注入阻止層13が挿入される。電子注入阻止層13は、第2の電極14の仕事関数をφM とし、該電子注入阻止層13の電子親和力をχ2 とし、半導体12のバンドギャップをEg1 としたとき、下記不等式を満足する材料から形成される。φM -χ2 ≧Eg1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に設けられた第1の電極と、前記第1の電極を覆うように前記基板の上に設けられ、光電変換を行なうための半導体と、前記半導体の上に設けられた第2の電極と、前記半導体と前記第2の電極との間に挿入され、前記第2の電極から前記半導体膜へ電子が注入されるのを阻止するための電子注入阻止層と、を備え、前記電子注入阻止層は、前記第2の電極の仕事関数をφM とし、該電子注入阻止層の電子親和力をχ2 とし、前記半導体のバンドギャップをEg1 としたとき、下記不等式を満足する材料から形成される、光電変換装置。φM -χ2 ≧Eg1

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 E ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-088675