特許
J-GLOBAL ID：200903024205893654
半導体レーザダイオードの素子分割方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163253
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005703
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 バー状の半導体基板をレーザダイオード素子ごとに分割するに際して、不所望な分割状態が発生することを未然に防止することにある。【構成】 多数のレーザダイオード素子(2)がストライプ状に形成され、且つ、そのレーザダイオード素子列ごとに分割溝(3)が刻設された半導体ウェーハ(1)を、その列方向と直交する方向に劈開し、その後、劈開されたバー状の半導体基板(4)を各レーザダイオード素子(2)ごとに分割する方法において、分割溝(3)の底部に、その溝方向と一致する方向に沿って分割用V溝(7)を刻設し、その分割溝(3)及び分割用V溝(7)と対応する部位を半導体基板(4)の裏面から押圧力Fでもって押圧することにより、各レーザダイオード(2)ごとに分割する。
請求項（抜粋）：
多数のレーザダイオード素子がストライプ状に形成され、且つ、そのレーザダイオード素子列ごとに分割溝が刻設された半導体ウェーハを、その列方向と直交する方向に劈開し、その後、劈開されたバー状の半導体基板を各レーザダイオード素子ごとに分割する方法において、上記分割溝の底部に、その溝方向と一致する方向に沿って分割用V溝を刻設し、その分割溝及び分割用V溝と対応する部位を半導体基板の裏面から押圧することにより、各レーザダイオードごとに分割するようにしたことを特徴する半導体レーザダイオードの素子分割方法。
IPC (2件)：
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