特許

J-GLOBAL ID：200903024206396565

基板処理方法及びCVD処理方法

発明者： 水野 茂 ,  勝俣 好弘 ,  高橋 信行
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250965
公開番号（公開出願番号）：特開平9-104986
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 マルチチャンバ方式のCVD装置で、反応容器相互間でダストパーテクルのコンタミネーションを防止し、かつひとつの反応容器内のメンテナンス作業をしても他の反応容器内で継続して薄膜形成処理ができるようにし、薄膜形成処理のスループットを向上する。【解決手段】 複数の処理用真空容器と基板搬送用真空容器を有する。基板搬送用真空容器に少なくともふたつの基板を保持できる搬送用ロボットが配置される。ブランケットW膜の成膜処理工程ではTiN成膜処理とW膜成膜処理とエッチバック処理が必要となる。TiN成膜処理とエッチバック処理は別の薄膜形成装置で行う。すべての処理用真空容器がCVD処理用であるマルチチャンバ方式のCVD装置の方はひとつのブランケットW膜の成膜処理工程の時間を短くする。少なくともふたつの基板を保持できる搬送用ロボットによって、処理された基板を搬出入用ロードロック真空容器に搬送する工程と未処理の基板を搬送する工程をひとつの工程とする。

請求項（抜粋）：

n個のCVD処理用真空容器P(1)、P(2)、P(3)...、P(k)、...、P(n-1)、P(n)(但し、n≧3)とそれらの中心に位置する基板搬送用真空容器内に少なくとも2つの基板を保持する多関節ロボットと各CVD処理用真空容器に熱媒体が循環する循環路が備え付けられているマルチチャンバ方式CVD装置における基板処理方法において、(a)CVD処理用真空容器P(1)からP(n)に基板を処理させ、(b)第1回目のメンテナンス作業は、P(1)においてはWm、P(2)...P(n)においてはWm-(n-1)Wcの基板を処理した後に行ない、(c)それ以降の第N回目のメンテナンス作業は、P(1)においてはWm+Wc+(Wm+Wc)(N-1)、P(2)においてはWm+(Wm+Wc)(N-1)、...、P(k)においてはWm-(k-1)Wc+(Wm+Wc)(N-1)、...、P(n)においてはWm-(n-1)Wc+(Wm+Wc)(N-1)の基板を処理した後に行い、ここにおいて、それぞれのCVD処理用真空容器のメンテナンス作業は、メンテナンス作業時間Tm内に行い、さらに、ここで、Wmはメンテナンス作業を始めるまでに処理されるあらかじめ設定した基板の枚数であり、Wcは、Wc=Tm/tで導きだされ、Wcは、ひとつのCVD処理用真空容器でメンテナンス作業中に他のひとつのCVD処理用真空容器が処理する基板の枚数であり、tは1枚の基板を搬出入用ロードロック真空容器から出ていき、CVD処理用真空容器で処理され、搬出入用ロードロック真空容器に戻るまでの時間であることを特徴とする基板処理方法。

IPC (6件)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/68 A