【要約】【課題】 圧電特性を向上させることができる圧電磁器を提供する。【解決手段】 (Na
0.5 Bi
0.5 )TiO
3 などの菱面晶系ペロブスカイト構造化合物と、BaTiO
3 ,(K
0.5 Bi
0.5 )TiO
3 などの正方晶系ペロブスカイト構造化合物と、AgNbO
3 などの単斜晶系ペロブスカイト構造化合物とを含む。結晶構造の異なる3種類の化合物により圧電特性が向上されるようになっている。これらは完全に固溶していてもしていなくてもよい。これらの組成比、菱面晶系ペロブスカイト構造化合物a,正方晶系ペロブスカイト構造化合物bおよび単斜晶系ペロブスカイト構造化合物cは、a+b+c=1,0.65≦a≦0.99,0
請求項(抜粋):
菱面晶系ペロブスカイト構造化合物と、正方晶系ペロブスカイト構造化合物と、単斜晶系ペロブスカイト構造化合物とを含むことを特徴とする圧電磁器。
IPC (3件):
C04B 35/46
, C04B 35/49
, H01L 41/187
FI (3件):
C04B 35/46 J
, C04B 35/49 Z
, H01L 41/18 101 J
Fターム (7件):
4G031AA01
, 4G031AA11
, 4G031AA14
, 4G031AA24
, 4G031AA35
, 4G031BA10
, 4G031CA01
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (4件)
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特公昭48-019478
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特公平4-060073
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特公昭48-019478
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