特許
J-GLOBAL ID:200903024206893798

圧電磁器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-186449
公開番号(公開出願番号):特開2002-321975
出願日: 2001年06月20日
公開日(公表日): 2002年11月08日
要約:
【要約】【課題】 圧電特性を向上させることができる圧電磁器を提供する。【解決手段】 (Na0.5 Bi0.5 )TiO3 などの菱面晶系ペロブスカイト構造化合物と、BaTiO3 ,(K0.5 Bi0.5 )TiO3 などの正方晶系ペロブスカイト構造化合物と、AgNbO3 などの単斜晶系ペロブスカイト構造化合物とを含む。結晶構造の異なる3種類の化合物により圧電特性が向上されるようになっている。これらは完全に固溶していてもしていなくてもよい。これらの組成比、菱面晶系ペロブスカイト構造化合物a,正方晶系ペロブスカイト構造化合物bおよび単斜晶系ペロブスカイト構造化合物cは、a+b+c=1,0.65≦a≦0.99,0 請求項(抜粋):
菱面晶系ペロブスカイト構造化合物と、正方晶系ペロブスカイト構造化合物と、単斜晶系ペロブスカイト構造化合物とを含むことを特徴とする圧電磁器。
IPC (3件):
C04B 35/46 ,  C04B 35/49 ,  H01L 41/187
FI (3件):
C04B 35/46 J ,  C04B 35/49 Z ,  H01L 41/18 101 J
Fターム (7件):
4G031AA01 ,  4G031AA11 ,  4G031AA14 ,  4G031AA24 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特公昭48-019478
  • 特公平4-060073
審査官引用 (4件)
  • 特公昭48-019478
  • 特公平4-060073
  • 特公昭48-019478
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