特許

J-GLOBAL ID：200903024210524799

シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜形成用塗布液の製造方法、シリカ系被膜及び半導体装置

発明者： 野部 茂 ,  山本 靖浩 ,  森嶋 浩之 ,  島村 泰夫
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322229
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176512
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【目的】 被膜の表面の凹凸や塗布ムラを低減して配線層間膜の平坦性を高め、半導体素子の信頼性を向上させるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。【構成】 一般式(I)【化1】(式中R1、R2及びR3は水素または炭素数1〜3のアルキル基を示し、nは整数を示す)で表されるポリシラザン化合物および一般式(II)【化2】(式中mは0、1または2の整数、qは1〜10の整数を示し、R4は炭素数1〜10の脂肪族基を示す)で表されるジアミン化合物または一般式(III)【化3】(式中pは1〜10の整数を示し、R5はメチル基またはフェニル基を示す)で表されるジアミン化合物を含有してなるシリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及びこのシリカ系被膜を用いた半導体装置。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中R1、R2及びR3は水素または炭素数1〜3のアルキル基を示し、nは整数を示す)で表されるポリシラザン化合物および一般式(II)【化2】(式中mは0、1または2の整数、qは1〜10の整数を示し、R4は炭素数1〜10の脂肪族基を示す)で表されるジアミン化合物または一般式(III)【化3】(式中pは1〜10の整数を示し、R5はメチル基またはフェニル基を示す)で表されるジアミン化合物を含有してなるシリカ系被膜形成用塗布液。

IPC (6件)：

C09D183/16 PMM ,  C08G 77/62 NUM ,  C08K 5/17 ,  C08K 5/54 LRU ,  C08L 83/16 LRM ,  H01L 21/768