特許

J-GLOBAL ID：200903024210898486

強誘電体記憶素子

発明者： 平井 匡彦
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064019
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264522
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体の劣化を伴わずに保護膜、層間絶縁膜を形成し、再現性、安定性に優れ、かつ生産上の収率向上に優れた強誘電体記憶素子を提供する。【構成】 MOSトランジスタおよび強誘電体を用いたキャパシタからなる記憶素子、またはゲート絶縁膜部分に強誘電体を有するMOSトランジスタからなる記憶素子がSi単結晶基板上に形成された強誘電体記憶素子において、記憶素子を保護するかまたは配線と分離する絶縁膜が樹脂被膜であることを特徴とする。【効果】 保護膜形成時に水素が発生することが少なく強誘電体の劣化も最小限にとどめることができる。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタおよび強誘電体を用いたキャパシタからなる記憶素子、またはゲート絶縁膜部分に強誘電体を有するMOSトランジスタからなる記憶素子がSi単結晶基板上に形成された強誘電体記憶素子において、前記記憶素子を保護するかまたは配線と分離する絶縁膜が樹脂被膜であることを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (7件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/312 B ,  H01L 21/90 S ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371