特許
J-GLOBAL ID:200903024225083179

半導体製造方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-121296
公開番号(公開出願番号):特開平8-316365
出願日: 1995年05月19日
公開日(公表日): 1996年11月29日
要約:
【要約】【目的】 フラックスを不要とし、リフロー炉用いることなく、半導体装置に半田ボールを短時間で確実に接合する。【構成】 ステージ7に半導体装置1を載置し、カメラ13により半導体装置1を撮影し、この撮影データに基づいて認識部14がステージ移動用モータ9によりステージ7の位置を微調整した後、半田ボールBbをそれぞれの吸着部10aに吸着させた半田ボール吸着治具10を半導体装置1のパッド2bに重合するように下方に移動させ、一定の荷重を加えながら超音波発振装置により半田ボール吸着治具10を超音波振動させ、パッド2bに半田ボールBbを接合させる。これにより、フラックスの塗布、リフロー炉による接合やフラックス洗浄作業が不要となり、コストの低減および作業時間の短縮を行うことができる。
請求項(抜粋):
半導体装置の電極部に半田ボールを加圧させながら超音波エネルギを加えることにより前記半田ボールを前記電極部に接合させることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H05K 3/34 505
FI (2件):
H01L 23/12 P ,  H05K 3/34 505 A

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