磁気抵抗効果型ヘッド

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中尾俊輔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-251207
公開番号（公開出願番号）：特開平6-103537
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】適正に反強磁性膜の反強磁性を保持することができ、磁気抵抗効果膜および軟磁性膜の単一ドメイン化を図り、適正なバイアス磁界を形成することができ、磁気特性の向上を図ることのできる磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【構成】磁気抵抗効果膜4と軟磁性膜6とを並設してなる磁気抵抗効果素子3の両側に一対のシールド9を所定間隔を有するように配設し、前記磁気抵抗効果膜4にこの磁気抵抗効果膜4に所定電圧を印加して前記磁気抵抗効果膜4と軟磁性膜6との間にバイアス磁界を発生させるリード線8を接続し、前記磁気抵抗効果膜4と軟磁性膜6との間にCr基合金等からなる高いネール温度を有する反強磁性膜7を介設したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果膜と軟磁性膜とを並設してなる磁気抵抗効果素子の両側に一対のシールドを所定間隔を有するように配設し、前記磁気抵抗効果膜にこの磁気抵抗効果膜に所定電圧を印加して前記磁気抵抗効果膜と軟磁性膜との間にバイアス磁界を発生させるリード線を接続してなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜と軟磁性膜との間に高いネール温度を有する反強磁性膜を介設したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-152707
磁気抵抗効果型ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-202583 出願人：富士通株式会社

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