特許
J-GLOBAL ID：200903024226775716
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009283
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204001
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 層間絶縁膜のコンタクトホールにプラグが埋め込まれるタイプの半導体装置の製造方法に関し、プラグを形成する際に、プラグロス、トレンチング、あるいはシームなどの不具合を低減することができ、集積密度、信頼性、電気抵抗、表面の平坦化などの向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 下導電層30の表面に層間絶縁膜32を成膜し、この層間絶縁膜32にコンタクトホール36を形成し、このコンタクトホール36に埋め込みプラグ40を形成し、この埋め込みプラグ40を介して、層間絶縁膜の上に成膜される上導電層と下導電層30とを接続する半導体装置の製造方法の改良。層間絶縁膜32の表面に、窒素を含む酸素透過阻止層38を形成し、その後、埋め込みプラグ40を形成する。
請求項（抜粋）：
下導電層の表面に層間絶縁膜を成膜し、この層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールに埋め込みプラグを形成し、この埋め込みプラグを介して、前記層間絶縁膜の上に成膜される上導電層と下導電層とを接続する半導体装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜の表面に、酸素透過阻止層を形成し、その後、前記埋め込みプラグを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/318
