半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274745
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090706
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】活性層における等価屈折率差により、光の閉じ込め率を向上させて、横モードを安定させ、しきい値電流の低減と発光効率の増大を達成した。【構成】活性層3の上部または下部にあるクラッド層2、6の内部にあり、電流が流れる領域を一定領域に制限する電流ブロック層5の禁制帯幅をクラッド層2、6よりも広くし、また電流ブロック層5の屈折率をクラッド層より低くした。また、電流ブロック層5を活性層3のごく近傍に配した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた第一及び第二のクラッド層(2,4)と、該二つのクラッド層間に置かれた活性層(3)とを備えた半導体レーザ素子であって、前記少なくとも一方のクラッド層内には、前記活性層に近接した位置に設けられ、前記クラッド層より禁制帯幅が広く、かつ前記クラッド層とは逆の導電性を有する半導体でなり、光の透過方向に沿って電流を通過させるストライプ状の間隔(5a)を持つ電流ブロック層(5)とを備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。

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