特許
J-GLOBAL ID：200903024227861829
ランダムアクセスメモリセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159154
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017151
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ダイナミック・ランダムアクセスメモリ(DRAM)セルに容易に実装されるトランジスタを提供する。【解決手段】 DRAMセルのようにトレンチキャパシタ210を有するメモリセルにおいて用いられる縦形トランジスタ250において、ゲートが設けられている。このゲートは水平部分256と、トレンチキャパシタの上に配置された垂直部分245とを有している。垂直部分245を設けることで、表面積を増やすことなくディバイスの長さを延ばすことができる。
請求項（抜粋）：
ランダムアクセスメモリセルにおいて、基板中に形成されたトレンチキャパシタが設けられており、該トレンチキャパシタの頂面は基板表面よりも下に凹部として形成されており、シャロウトレンチアイソレーション(STI)が設けられており、該シャロウトレンチアイソレーションは、前記トレンチキャパシタの上に残留部分が残されるよう、トレンチキャパシタの一部分とオーバラップしており、基板において前記シャロウトレンチアイソレーションとは反対側にトランジスタが配置されており、該トランジスタはゲート、ドレインおよびソースを有しており、前記ゲートは導電層を有しており、該導電層は、基板表面の上に配置された水平部分と、基板表面よりも下でありかつトレンチキャパシタよりも上にある前記残留部分の中へ入り込んだ垂直部分とを有しており、前記トレンチキャパシタの上に誘電層が配置されており、該誘電層により、第2のゲート部分とトレンチキャパシタとが分離されることを特徴とする、ランダムアクセスメモリセル。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 625 A
, H01L 27/10 671 A
