特許
J-GLOBAL ID：200903024238541346
NAND型フラッシュメモリ装置及びメモリデバイス
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-139280
公開番号（公開出願番号）：特開2007-310964
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】データの書き込み時又は読み出し時にビット線の充電のための電流を低減させ、かつ、ビット線の充電のためのピーク電流が一定の条件の下では動作を高速とすること。【解決手段】本発明のNAND型フラッシュメモリ装置100は、同時書き込みデータ単位内の前記複数のメモリセルにデータを転送する時に前記データの“1”データ及び“0“データの数に基づいて前記“1”データ又は前記“0“データの極性を反転させるか否かを判断し、前記データを反転して前記メモリセルアレイ101に転送する場合に前記極性を反転したことを示す反転フラグビットを前記データに追加するデータ反転制御部108を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電気的に書き換え可能な複数のメモリセルがマトリクス状に配置されているメモリセルアレイを具備するNAND型フラッシュメモリ装置において、
同時書き込みデータ単位内の前記複数のメモリセルにデータを転送する時に前記データの“1”データ及び“0“データの数に基づいて前記“1”データ又は前記“0“データの極性を反転させるか否かを判断し、前記データを反転して前記メモリセルアレイに転送する場合に前記極性を反転したことを示す反転フラグビットを前記データに追加するデータ反転制御部を具備することを特徴とするNAND型フラッシュメモリ装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C17/00 611D
, G11C17/00 611G
, G11C17/00 622E
, G11C17/00 641
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA04
, 5B125EA05
, 5B125EA10
, 5B125ED06
, 5B125ED07
, 5B125EH00
, 5B125FA01
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
