特許

J-GLOBAL ID：200903024238969389

多孔性シリカ薄膜およびその製造法

発明者： 白瀧 浩伸 ,  赤荻 隆之
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-161714
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014564
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】多孔性シリカ薄膜の断面TEM像のフーリエ変換像による空孔の周期測定による空孔の周期が、膜面水平方向に11.5nm以下、膜面垂直方向に9.0nm以下、かつ、水平方向/垂直方向の比が1.35以下であることを特徴とする多孔性シリカ薄膜およびその製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

多孔性シリカ薄膜の断面TEM像のフーリエ変換像による空孔の周期測定による空孔の周期が、膜面水平方向に11.5nm以下、膜面垂直方向に9.0nm以下、かつ、水平方向/垂直方向の比が1.35以下であることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768

FI (5件)：

H01L21/316 G ,  C01B33/12 C ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/90 N ,  H01L21/90 K

Fターム (30件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB10 ,  4G072BB15 ,  4G072FF09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072KK17 ,  4G072LL11 ,  4G072LL13 ,  4G072LL14 ,  4G072LL15 ,  4G072NN21 ,  4G072UU01 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01