特許

J-GLOBAL ID：200903024239694693

半導体素子及びその製造方法

発明者： 吉井 重雄 ,  大川 和宏 ,  辻村 歩 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046059
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334263
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 II-VI族半導体素子のn型またはp型の半導体層に、イオン注入量が1012〜1018 ions/cm2 の範囲のイオンが注入された電気絶縁性部分が存在することにより、半導体材料と良好な熱接触を持ち、熱伝導率が良好で、かつ十分な電気絶縁性部分が存在するII-VI族半導体素子を得る。【構成】 p型GaAs基板2上のZnSe系SQW-SCH構造3(p型ZnSe層3a,p型ZnSSe層3b,p型ZnSe層3c,ZnCdSe層(活性層)3d,n型ZnSe層3e,n型ZnSSe層3f,n型ZnSe層3g)の上に、金属電極8を設け、さらに金属部分9を設けて、上部より窒素イオンを注入して電流狭窄層(絶縁体)10を形成する。この半導体レーザー素子11は、従来の素子に用いられているSiO2 絶縁体やポリイミド樹脂絶縁体の素子に比べて寿命が2倍から7倍に向上できる。

請求項（抜粋）：

II族または2価を取り得る元素から選ばれる少なくとも一つの元素と、VI族から選ばれる少なくとも一つの元素からなる半導体素子のn型またはp型の半導体層に、イオン注入量が1012〜1018 ions/cm2 の範囲のイオンが注入された電気絶縁性部分が存在する半導体素子。