半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329444
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148418
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】導電体をトレンチ部内に有するトレンチ分離構造において、導電体の電位を制御して、パンチスルーによるリークおよび接合リークをともに低減した半導体装置を提供する。【解決手段】トレンチ分離構造20はシリコン基板1内に設けられたトレンチの内面に絶縁膜4を配設し、絶縁膜4で規定されるトレンチ空間内の下部側に、導電体3として、例えばリンを1×1020/cm3程度の濃度にドープしたドープトポリシリコンが埋め込まれた構成を有している。そして、トレンチ空間の上部側には絶縁物2として、例えばシリコン酸化物が埋め込まれている。ここで使用されるシリコン酸化物は、TEOS酸化膜やHDP酸化膜、また誘電率の小さなSiOF膜を埋め込むことで形成する場合もある。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、ソース・ドレイン層を有する半導体素子と、前記ソース・ドレイン層に隣接して前記半導体素子を電気的に分離するトレンチ分離構造とを備える半導体装置であって、前記トレンチ分離構造は、前記半導体基板の表面内に配設されたトレンチと、前記トレンチ内に配設され、前記ソース・ドレイン層の最深部よりも深い位置に最上部を有する導電体と、前記導電体の側面と前記トレンチとの間に配設された絶縁膜と、前記導電体の上部において前記トレンチを埋め込む絶縁物とを有する、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/76 , H01L 21/3205 , H01L 27/08 331 , H01L 27/08 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (8件)：

H01L 27/08 331 A , H01L 27/08 331 E , H01L 21/76 L , H01L 21/88 J , H01L 21/88 S , H01L 27/10 671 C , H01L 27/10 681 D , H01L 27/10 681 C

Fターム (117件)：

5F032AA01 , 5F032AA35 , 5F032AA39 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA48 , 5F032AA54 , 5F032AA70 , 5F032AC01 , 5F032CA14 , 5F032CA17 , 5F032CA23 , 5F032DA02 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA44 , 5F032DA53 , 5F032DA60 , 5F032DA78 , 5F033HH01 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH19 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033JJ04 , 5F033JJ08 , 5F033JJ19 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK19 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM30 , 5F033PP06 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ58 , 5F033QQ60 , 5F033QQ64 , 5F033QQ65 , 5F033RR04 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033SS13 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV04 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033XX28 , 5F033XX33 , 5F048AA04 , 5F048AB01 , 5F048AB08 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BC03 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF03 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BG14 , 5F048BG15 , 5F048BH07 , 5F048DA27 , 5F083AD02 , 5F083AD10 , 5F083AD24 , 5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083GA03 , 5F083GA09 , 5F083GA30 , 5F083HA02 , 5F083JA05 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA57 , 5F083KA15 , 5F083LA01 , 5F083LA02 , 5F083LA28 , 5F083LA30 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083NA04 , 5F083PR03 , 5F083PR06 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F083ZA09

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭60-250645
特開昭58-098943
特開平4-151851

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審査官引用 (4件)

特開昭58-098943
特開昭60-250645
特開昭58-098943

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