特許
J-GLOBAL ID：200903024240895872
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314573
公開番号（公開出願番号）：特開平11-136049
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 内部の制御トランジスタと並列に外部にトランジスタを接続する場合に、他の回路素子や外部端子を必要としない半導体集積回路を提供することにある。【解決手段】 制御トランジスタQ1のベースに接続するダイオードD1により発生する電圧と該トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧VBE1 の和の電圧を越えた電圧が、該トランジスタQ1のエミッタとダイオードD1の制御回路との接続点間に加えられた場合に、該トランジスタQ1は動作する。外部に接続するトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧VBE2 がばらついても、電圧VBE2 は該和の電圧よりも常に小さくなるから制御トランジスタQ1の動作を停止して、外部のトランジスタQ2だけを確実に動作させることができる。
請求項（抜粋）：
入力端子と出力端子間に制御トランジスタが直列接続され、該トランジスタにより出力が制御される半導体集積回路において、該トランジスタのベースには半導体回路素子のPN接合の一端が接続されており、該PN接合の他端は該トランジスタの制御回路に接続されると共に半導体集積回路の外側に露呈する端子に導出されていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
H03F 3/68
, G05F 1/56 310
H03F 3/68 B
, G05F 1/56 310 C
