特許
J-GLOBAL ID：200903024247913159
固体撮像素子及びその膜厚の最適化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030324
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240512
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 多層構造を有する転送電極の受光感度を向上する。【構成】 シリコン基板11上に、1層目の転送電極15が一定の間隔をおいて互いに並行に配置され、この転送電極15の間隙を覆うようにして2層目の転送電極16が配置される。それぞれの転送電極15、16の膜厚は、約50nmから約100nmまでの間に形成され、それぞれの転送電極15、16の下のシリコン酸化膜14の膜厚は、約120nmから約180nmの間に形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板に入射される光に応答して発生する情報電荷を、半導体基板上に配置された複数の転送電極の作用により基板の表面領域に形成されるポテンシャル井戸に蓄積する固体撮像素子において、情報電荷の移動を阻止する複数の分離領域が互いに平行に配列された半導体基板と、この半導体基板の表面を被う絶縁膜と、この絶縁膜上で上記分離領域と交差する方向に延在し、互いに一定の間隔を空けて平行に配列される複数の第1の転送電極と、これらの第1の転送電極の各間隙を覆うようにして配置される複数の第2の転送電極と、を備え、上記半導体基板上の絶縁膜の膜厚が約120nm乃至約180nmの範囲に形成されると共に、上記第1及び第2の転送電極の膜厚が約50nm乃至約100nmの範囲に形成されることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
, H01L 27/148
H01L 29/76 301 A
, H01L 27/14 B
