特許

J-GLOBAL ID：200903024249998151

排ガス除害装置

発明者： 伊藤 和幸
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-190872
公開番号（公開出願番号）：特開2000-015047
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】半導体製造装置からの排ガスの無害化を行う排ガス除害装置に関する。半導体製造装置からの排ガスの流入が停止した場合、排ガス除害装置への総流入ガスの流量低下に伴い、排ガス除害装置の反応管内部は急激な温度上昇を引き起こす。この急激な温度上昇が、排ガス除害装置の反応管あるいは加熱ヒータの異常・劣化を引き起こしていた。【解決手段】半導体製造装置1の排ガス切替バルブ2bが閉成された場合、窒素流入管12を流れる温度上昇防止用窒素の流路を開閉するための窒素導入手段11を開成させることにより、反応管7内部に温度上昇防止用窒素が連続的に流入する。反応管7に流入した温度上昇防止用窒素は、反応管7内部への総流入ガス流量の急激な低下を緩和する。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置からの排ガス導入部と、反応部と、該反応部を加熱するヒータを有し、熱分解による排ガスの無害化を行う排ガス除害装置において、前記反応部への温度上昇防止用窒素導入手段を有することを特徴とした排ガス除害装置。

Fターム (12件)：

4D002AA40 ,  4D002AC10 ,  4D002BA05 ,  4D002BA12 ,  4D002CA20 ,  4D002DA70 ,  4D002GA02 ,  4D002GA03 ,  4D002GB03 ,  4D002GB06 ,  4D002GB08 ,  4D002HA10