化合物半導体層含有基板およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207632
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106348
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】表面平坦性と結晶性の良好なIII族窒化物系化合物半導体を備える化合物半導体層含有基板およびその製造方法、ならびにこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】基板11と、基板11上に形成された第1の半導体層12と、半導体層12上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体からなる第2の半導体層13とを備える。半導体層12は、複数の細孔14を有する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された第2の半導体層とを備え、前記第1の半導体層が複数の細孔を有し、前記第2の半導体層がIII族窒化物系化合物半導体からなることを特徴とする化合物半導体層含有基板。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-252477 出願人：新技術事業団
特開平4-012092
特開平4-012097

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