特許
J-GLOBAL ID：200903024252469321
半導体装置の製造方法およびその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012813
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206021
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【構成】液体微量連続定量供給装置2と内部に石英粒子4を内蔵した石英の蒸気発生容器3と蒸気結露防止を配慮した効果的なガス分岐筒とによってアンモニア蒸気と高濃度のオゾンを混合し、複数ノズル10から210°C以上に保持した被処理面にガスを供給し、紫外線の照射をする。また、170°C以下に保持した吸着板31を介して排気する。【効果】反応ガス中に含まれるアンモニアに起因する基板上の汚染を防止し処理性能が向上する。
請求項（抜粋）：
紫外線とアンモニアを含むオゾンと210°C以上の熱の作用によってレジストを剥離除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/42
, H01L 21/302
