特許

J-GLOBAL ID：200903024259068721

堆積膜形成装置のクリーニング方法

発明者： 吉野 豪人 ,  村上 仁 ,  山崎 晃司 ,  江原 俊幸
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180549
公開番号（公開出願番号）：特開平6-002143
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】CVD法による堆積膜形成装置の、ClF3ガスを使用するクリーニング方法の改良。【目的】CVD法による堆積膜形成装置を効率的にクリーニングする方法の提供。【構成】クリーニング用ガスとしてClF3ガスを使用し、該ガスを希釈ガスと混合し濃度を順次低下させながらクリーニングを行うCVD法による堆積膜形成装置のクリーニング方法。

請求項（抜粋）：

減圧下で堆積膜を形成するための装置の気相化学法によるクリーニング方法であって、クリーニング用ガスとしてのClF3ガスを希釈ガスと混合して用い、該ClF3ガスの濃度を順次低下させながらクリーニングを行うことを特徴とする堆積膜形成装置のクリーニング方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/00 ,  C23F 4/00