半導体素子実装基板および実装方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019766
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218133
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】半導体素子を実装した基板において周囲の温度変化により損傷せず、信頼性の高い実装基板および実装方法を提供する。【構成】セラミック基板上に柱状バンプ7を形成し、その高柱状バンプ7に半導体素子6を実装することによって、周囲の温度変化により発生した応力を高柱状バンプ部で緩衝し、信頼性の高い半導体素子の実装方法が実現できる。この高柱状バンプは、導体ペースト4を埋めた基板構成シート1を下層として、それより高温で焼結するバンプ形成用シート2を最上層として積層・焼成し、最上層のみを除去して形成される。この方法によれば高柱状バンプは、従来のセラミック多層基板製造の設備で容易に実現でき、実用価値の高いものである。

請求項（抜粋）：