特許
J-GLOBAL ID：200903024261291519
薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-339400
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181014
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗で且つ後の工程において充分な耐薬品性のある電極の配線構造を有すると共にフォトリソグラフィー工程に用いる各種薬液の劣化を低減し、且つ1回のフォトリソグラフィー工程のみで前記低抵抗電極の配線構造を形成することが可能な薄膜トランジスタ基板およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 まず低抵抗の金属膜のタングステン膜32、次いで耐薬品性に優れた金属膜のタンタル膜33を順次スパッタ法により成膜し、続いて順次、タンタル膜33の上にレジスト膜34を塗布し、レジスト膜34を露光現像処理して配線形状にマスクを形成し、タンタル膜33およびタングステン膜32を等方的にプラズマエッチングし、耐薬品性に優れた金属膜のタンタル膜35をスパッタ法により基板全面に成膜し、タンタル膜35を異方的にリアクティブイオンエッチングし、最後にレジスト膜34を剥離して、配線構造を形成している。
請求項（抜粋）：
電極配線が低抵抗の金属材料からなる第1の金属層、並びに、耐薬品性に優れた金属材料からなる第2の金属層および第3の金属層によって構成され、前記第2の金属層は前記第1の金属層の上面に、前記第3の金属層は前記第1の金属層の側面に位置し、前記第1の金属層は前記第2の金属層と前記第3の金属層によって完全に被覆された配線構造を有していることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (5件)：
H01L 21/28 301
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/3205
, H01L 29/786
H01L 21/28 301 R
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/88 R
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 617 M
