特許
J-GLOBAL ID：200903024267051277
半導体メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-248359
公開番号（公開出願番号）：特開平6-195963
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 外部システムクロックに同期して、メモリセルアレイ内のデータを高速にアクセスすることができる半導体メモリを提供する。【構成】 外部クロックを入力する半導体メモリにおいて、読出しサイクル又は書込みサイクルを示すアクティブサイクル又はプリチャージサイクルで動作可能な複数のメモリバンクと、上記外部クロックの立上りエッジ又は立下りエッジに応答して、入力された行アドレスストローブ信号の論理レベルをラッチするための手段と、前記メモリバンクのうちいずれか一つを選択するための外部アドレスの入力手段と、ラッチされた前記論理レベルとアドレス入力手段からのアドレスを受け取り、該論理レベルが第1論理レベルの時、選択されたメモリバンクに活性化信号を出力してアクティブサイクルで、選択されなかったメモリバンクには非活性化信号を出力してプリチャージサイクルで動作させる手段とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成され複数の動作モードを有する半導体メモリにおいて、前記動作モードの中で少なくとも一つを指定するようにされた外部アドレスをうけるためのアドレス入力手段と、モード設定動作時にモード設定信号を発生するための手段と、前記モード設定信号に応答し前記外部アドレスに従ってコードを貯蔵し、貯蔵されたコードによって決定される動作モードを示す動作モード信号を発生するための手段と、を備えることを特徴とする半導体メモリ。
引用特許：
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